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據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本半導(dǎo)體、液晶技術(shù)研發(fā)機構(gòu)日本半導(dǎo)體能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）已研發(fā)出可將功耗壓縮至現(xiàn)行1/10以下水準(zhǔn)的下一代芯片量產(chǎn)技術(shù)。臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電將搶先在2016年夏天開始生產(chǎn)采用上述技術(shù)的CPU、存儲器產(chǎn)品。 報導(dǎo)指出，SEL舍棄現(xiàn)行主流的硅材料，而改用被稱為IGZO的氧化物半導(dǎo)體的特殊結(jié)晶體，形成多層電子電路，防止電流外漏，借此達(dá)到省電的效果。除可大幅改善智能手機等電子產(chǎn)品的電池壽命之外，也有望促進智能手表等穿戴式裝置的普及速度。 據(jù)報導(dǎo)，除CPU、存儲器之外，上述新技術(shù)也可應(yīng)用在傳感器、邏輯集成電路等廣泛半導(dǎo)體產(chǎn)品上，借此可將智能手表等穿戴式裝置的電池壽命延長至現(xiàn)行的約10倍水準(zhǔn)，而SLE計劃將該技術(shù)賣給全球半導(dǎo)體廠商、借此收取特許費。 報導(dǎo)并指出，今后半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料可能將從現(xiàn)行主流的硅轉(zhuǎn)換成IGZO特殊結(jié)晶體，而美國英特爾、南韓三星電子等全球半導(dǎo)體大廠也正持續(xù)關(guān)注此種技術(shù)動向。 |
