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Qorvo采用全新GaAs工藝提高光帶寬,最新TQPHT09 90nm pHEMT適用于下一代高頻放大器

發(fā)布時(shí)間:2015-4-28 09:52    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: pHEMT , 高頻放大器 , Qorvo , GaAs , 光帶寬
Qorvo, Inc.推出一項(xiàng)全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù),與競爭對手的半導(dǎo)體工藝相比,該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一種90 nm pHEMT工藝,能夠支持Qorvo的下一代光產(chǎn)品組合。這種新工藝具備Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的可靠性,非常適合100G+線性應(yīng)用所需的下一代高頻高性能放大器

TQPHT09在Qorvo位于德克薩斯州里查德遜的業(yè)界領(lǐng)先GaAs工廠制造,也是該公司久負(fù)盛譽(yù)的pHEMT工藝產(chǎn)品組合中的最新產(chǎn)品。Qorvo的TQPHT09為多種新型光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ),包括該公司最先進(jìn)的四通道100G調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸,適合地鐵和長距離運(yùn)輸應(yīng)用,也非常適合升級面向線路卡應(yīng)用的100G線性雙通道驅(qū)動(dòng)器。該產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗,提供高度的通道間隔離,采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模塊封裝,具有業(yè)界最小的封裝尺寸。

Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品部總裁James Klein表示:“Qorvo持續(xù)投資開發(fā)業(yè)界最具競爭力的半導(dǎo)體工藝技術(shù),打造適用于下一代產(chǎn)品的同類最佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工藝展示了我們在提供面向高速市場應(yīng)用的元器件方面處于領(lǐng)先地位,能夠提供客戶期望的質(zhì)量、可靠性和可靠供貨源!

若要了解有關(guān)TQPHT90工藝優(yōu)勢、TGA4960-SL和其他高性能驅(qū)動(dòng)器模塊以及面向100G+應(yīng)用的TIA的更多信息,請?jiān)L問www.qorvo.com/optical

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