新軍RRAM殺入，存儲器市場暗潮四伏

發(fā)布時間：2014-12-31 16:12 發(fā)布者：集芯城IC批發(fā)網

　　NAND閃存已經成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。

　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。

　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossbar宣稱他們可以做到最低50ns，也就是加快了上萬倍。RRAM的編程/擦寫循環(huán)更是可以達到數百萬次，初期也能做到10萬次左右，NAND閃存現在只有區(qū)區(qū)幾千次。

　　令人歡欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他們的RRAM已經開始進入商業(yè)化階段，也就是有了可用的成品芯片，并證明自己能夠進入工廠量產。

　　Crossbar初期準備面向嵌入式市場，授權給ASIC、FPGA、SoC開發(fā)商，預計首個樣品2015年初出爐，2015年底或2016年初量產。除了授權，Crossbar還在開發(fā)自己的芯片，容量和密度更高，大概會在2017年面世。

　　除了Crossbar，閃存大廠美光也與索尼公司聯合研發(fā)了可變電阻式ReRAM，只不過道路坎坷一些，從2007年出現后，幾乎每年都會透露一些進展，但就是距離量產也沒有給出具體時間表。美光可變電阻式ReRAM和Crossbar RRAM有些類似，同樣是非易失性存儲，但是更強調電阻可變，同時為了區(qū)分，縮寫也有所不同。

　　美光在IEEE IEDM 2014國際電子設備大會上上公布的原型采用了27nm CMOS工藝制造，三層銅線互連，單顆容量16Gb(2GB)，內核面積168平方毫米。作為原型，它采用了DDR內存接口，但后期很容易替換。

　　筆者點評：

　　在諸多半導體器件中，存儲器是最有希望頭一個邁入下個時代的，無論哪種技術勝出，都可能成撬動行業(yè)的支點。（21ic電子網）

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