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ST新增一系列抗輻射JANSR雙極晶體管

發(fā)布時(shí)間:2014-8-19 09:59    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 抗輻射 , JANSR , 雙極晶體管 , 航天
器件擁有同類產(chǎn)品中最佳的性能,并通過(guò)美國(guó)航天項(xiàng)目認(rèn)證測(cè)試
新的JANSR+100krad低劑量速率晶體管為太空等輻射環(huán)境應(yīng)用科技提供優(yōu)異的抗電離輻射性能


意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST) 在最近召開(kāi)的巴黎核能與太空輻射效應(yīng)大會(huì)(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其現(xiàn)有的JANS/JANSR 產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過(guò)篩選的獲得國(guó)防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認(rèn)證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能,特別適合航天和高可靠性系統(tǒng),包括衛(wèi)星以及核物理(nuclear physics)和醫(yī)療應(yīng)用。



意法半導(dǎo)體自1977年起開(kāi)始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導(dǎo)體解決方案,在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產(chǎn)品認(rèn)證。意法半導(dǎo)體不斷改善抗輻射產(chǎn)品性能,目前推出的新產(chǎn)品就是一個(gè)典型實(shí)例。

JANS系統(tǒng)屬于意法半導(dǎo)體于2013年發(fā)布的歐洲空間元器件協(xié)調(diào)委員會(huì)(ESCC, European Space Components Coordination)項(xiàng)目的創(chuàng)新成果。新發(fā)布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極晶體管,意法半導(dǎo)體對(duì)每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測(cè)試。此外,意法半導(dǎo)體還宣布其JANSR+產(chǎn)品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測(cè)試數(shù)據(jù),展示其出色的抗輻射效應(yīng)性能。

因此,意法半導(dǎo)體的JANSR+系列產(chǎn)品讓客戶有機(jī)會(huì)使用抗輻射性能優(yōu)異且配備所有相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)的抗輻射產(chǎn)品。客戶可直接使用這些產(chǎn)品,無(wú)需任何額外的篩選成本和交貨周期,因此大幅提升了抗輻射產(chǎn)品的市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)。

意法半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁兼功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Aleo表示:“意法半導(dǎo)體為歐洲航天工業(yè)提供抗輻射雙極晶體管的時(shí)間長(zhǎng)達(dá)35年,我們的產(chǎn)品飛行時(shí)間累計(jì)超過(guò)數(shù)億個(gè)小時(shí)。我們專門調(diào)整的航天技術(shù)設(shè)計(jì)取得了同類最好的抗輻射性能,現(xiàn)在又獲得了DLA證書,美國(guó)客戶將受益于我們的無(wú)與倫比的耐輻射性能!

所有產(chǎn)品都采用先進(jìn)的密閉UB封裝,可立即提供樣品及開(kāi)放大批量訂貨。  詳情請(qǐng)查詢網(wǎng)頁(yè)www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr

技術(shù)說(shuō)明

(1)    半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)與多個(gè)因素有關(guān)。對(duì)于雙極晶體管,總輻射劑量(總輻射劑量越大,輻射影響越大)和劑量速率(當(dāng)總輻射劑量給定時(shí),劑量速率越低,輻射影響越大)是兩個(gè)重要因素。低劑量速率特性對(duì)于衛(wèi)星至關(guān)重要,因?yàn)樘罩械膭┝克俾屎艿?在10 mrad/s范圍內(nèi))。不過(guò),標(biāo)準(zhǔn)JANSR認(rèn)證只考慮高劑量速率,而高劑量速率既不是最惡劣的輻射情況,也不是半導(dǎo)體器件在空間中經(jīng)常遇到的輻照狀況。

輻射強(qiáng)化器件又稱抗輻射器件,按照航天局測(cè)試規(guī)范,抗輻射器件是在輻射環(huán)境中接受測(cè)試,以便讓設(shè)計(jì)人員知道產(chǎn)品能否成功耐受輻射,經(jīng)過(guò)輻射后器件能否達(dá)到預(yù)期性能?馆椛淦骷菫槟褪茏類毫拥奶蛰椛洵h(huán)境而專門研制的半導(dǎo)體器件。吸收輻射劑量的測(cè)量單位為rad。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品在實(shí)際空間條件下輻射性能十分優(yōu)異,并配有支持其所聲稱的抗輻射性能的測(cè)試數(shù)據(jù)。

(2)    據(jù)文獻(xiàn)記載,業(yè)界公認(rèn)全身輻照劑量達(dá)到10 krad將會(huì)導(dǎo)致死亡。JANSR規(guī)范保證抗輻射性能達(dá)到100 krad。

(3)    JANSR+ 低劑量速率保證測(cè)試是對(duì)每顆晶圓進(jìn)行10項(xiàng)測(cè)試(5個(gè)偏壓和5個(gè)不偏壓)。每件產(chǎn)品都配備輻射驗(yàn)證測(cè)試(RVT)報(bào)告,包含在5種不同輻射程度時(shí)重要參數(shù)的漂移。

(4)    意法半導(dǎo)體的新抗輻射雙極晶體管的最大集電極-發(fā)射極電壓高達(dá)160V, 最大集電極電流高達(dá)5A,正向電流增益(hFE)高達(dá)450。


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