芯片解密后芯片失效如何分析？

星光電子

芯片解密常見問題解答—芯片解密后失效分析的主要流程:

1、接受客戶不良品信息反饋及分析請求，并了解客戶相關(guān)信息。(指失效模式，參數(shù)值，客戶抱怨內(nèi)容，型號，批號，失效率，所占比例等，與正常品相比不同之處)

2、記錄各項信息內(nèi)容，以在長期記錄中形成信息庫，為今后的分析工作提供經(jīng)驗(yàn)值。

3、收集工藝信息，包括與此產(chǎn)品有關(guān)的生產(chǎn)過程中的人，機(jī)，料，法，環(huán)變動的情況(老員工，新員工，班次，人員當(dāng)時的工作狀態(tài)，機(jī)臺狀況，工夾具，所采用的原材料，工藝參數(shù)的變動，環(huán)境溫濕度的變動等)。

通常有：裝片機(jī)號，球焊機(jī)號，包封機(jī)號，后固化烘箱號，去飛邊機(jī)號，軟化線號，是否二次軟化，測試機(jī)臺，測試參數(shù)，料餅品種型號，引線條供應(yīng)者及批號，金絲品種及型號，供應(yīng)者等。

4、失效確認(rèn)，可用測試機(jī)檢測功能、開短路，以確認(rèn)客戶反映情況是否屬實(shí)。

5、對于非開短路情況，如對于漏電流大的產(chǎn)品要徹底清洗(用冷熱純水或有機(jī)溶劑如丙酮)后再進(jìn)行下述烘烤試驗(yàn)：125度烘烤24小時或175度烘烤4小時以上，烘箱關(guān)電源后門打開45度角緩慢冷卻1小時后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試問題，對封裝工藝要嚴(yán)查。

6、對于開短路情況，觀察開短路測試值是開路還是短路，還是芯片不良，如是開路或短路，則要注意是第幾腳開路或短路，待開帽后用萬用表測量該腳所連的金絲的壓區(qū)與腳之間的電阻，以判斷該腳球焊是否虛焊。

7、對于大芯片薄形封裝產(chǎn)品要注意所用材料(如料餅，導(dǎo)電膠)是否確當(dāng)，產(chǎn)品失效是否與應(yīng)力和濕氣有關(guān)(125度烘烤24小時或175度烘烤4小時以上，烘箱關(guān)電源后，門打開45度角緩慢冷卻1小時后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試的問題，對封裝工藝要嚴(yán)查，如檢查去飛邊方式，浸酸時間等。)

8、80倍以上顯微鏡觀察產(chǎn)品外形特征，特別是樹脂休是否有破裂，裂縫，鼓泡膨脹。(注膠口，腳與腳之間樹脂體和導(dǎo)電物)

9、對所有失效樣品進(jìn)行X-RAY檢查，觀察金絲情況，并和布線圖相比較，以判斷布線是否錯誤。如發(fā)現(xiàn)錯誤要加抽產(chǎn)品確認(rèn)失效總數(shù)并及時反映相關(guān)信息給責(zé)任人。

10、C-SAM即SAT，觀察產(chǎn)品芯片分層情況。判斷規(guī)范另見。樣品數(shù)量為10只以內(nèi)/批。

11、開帽：對于漏電流大的產(chǎn)品采用機(jī)械方式即干開帽形式，其它情況用強(qiáng)酸即濕開帽形式。切開剖面觀察金絲情況，及金球情況，表面鋁線是否受傷，芯片是否有裂縫，光刻是否不良,是否中測，芯片名是否與布線圖芯片名相符。樣品數(shù)量為5只/批。對于開短路和用不導(dǎo)電膠裝片的產(chǎn)品要用萬用表檢測芯片地線和基島之間電阻檢查裝片是否有問題。對于密間距產(chǎn)品要測量鋁線寬度，確認(rèn)所用材料(料餅，導(dǎo)電膠，金絲)是否確當(dāng)開帽后應(yīng)該再測試，根據(jù)結(jié)果進(jìn)一步分析。

12、腐球：觀察壓區(qū)硅層是否破裂，嚴(yán)重氧化(用王水或氫氧化鈉或氫氧化鉀)，腐球時注意要腐透(金絲徹底脫離芯片或溶化掉)，不能用細(xì)針去硬撥金絲以免造成人為壓區(qū)損壞。

13、開帽時勿碰壞金絲及芯片，對于同一客戶，同型號，同擴(kuò)散批，同樣類型的失效產(chǎn)品涉及3個組裝批的，任抽一批最后對開帽產(chǎn)品進(jìn)行測試看是否會變好。以確認(rèn)是否是封裝問題。

14、對開帽后漏電流偏大的可以使用微光顯微鏡檢查。

15、對開帽后的芯片最好用SEM仔細(xì)檢查有無如微小缺陷、氧化層穿孔等缺點(diǎn)。

16、失效分析主要依照：EOS、ESD、封裝缺陷、芯片缺陷、CMOS閂鎖、設(shè)計缺陷、可靠性(如水汽進(jìn)入、沾污等)展開。

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