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美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley)的科學(xué)家們表示已經(jīng)找到一種可推動芯片電感器(on-chip inductor)技術(shù)進(jìn)展的新方法，將有助于催生新一代微型射頻(RF)電子與無線通訊系統(tǒng)設(shè)計。 加州大學(xué)的研究人員們深入探索在奈米磁鐵(nanomagnet)中奈米材料合成的最新發(fā)展。根據(jù)加州大學(xué)柏克萊分校機械工程系教授Liwei Lin表示，研究人員們發(fā)現(xiàn)，采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的芯片電感器尺寸縮小，同時提升性能，同時，藉由其高截止頻率提供良好的導(dǎo)磁率，從而降低在高頻作業(yè)時的渦流損耗。 工程師們經(jīng)常面對的問題是，在試圖縮減芯片電感器尺寸的同時，還得保持其最佳電感與性能。Liwei Lin表示這些困難主要來自于“基本科學(xué)以及工程實踐約束”所造成的限制。 芯片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進(jìn)展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動元件被歸類于“超越摩爾定律”的領(lǐng)域，因此整合的是不會因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。 芯片電感器架構(gòu)需要較大的面積，因為在其金屬走線之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間，以實現(xiàn)適當(dāng)?shù)碾姼信c性能。然而，對于要求較大的面積則可能會因為在旋轉(zhuǎn)線圈和半導(dǎo)體基板之間產(chǎn)生寄生效應(yīng)而造成電感損失。 |
