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東芝公司（Toshiba）今天宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，此次研討會(huì)將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。 智能手機(jī)和平板電腦等無線和移動(dòng)設(shè)備的快速增長(zhǎng)正推動(dòng)對(duì)低功耗和高性能射頻/模擬電路的需求。但是，由于晶體管擴(kuò)展會(huì)導(dǎo)致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數(shù)字電路廣泛使用的先進(jìn)設(shè)備和工藝技術(shù)應(yīng)用至射頻/模擬電路。 東芝通過一種新設(shè)備結(jié)構(gòu)（使用兩種不同材料作為一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵電極）和一種工藝整合方案（采用廣泛使用的常見半導(dǎo)體制造方法）解決了這一問題。這種方法實(shí)現(xiàn)了納米級(jí)柵長(zhǎng)控制。 晶體管的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明功耗顯著降低，并且作業(yè)速度沒有出現(xiàn)任何下降。 這種設(shè)備結(jié)構(gòu)的獨(dú)特特征是兩種材料（n型硅和p型硅）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質(zhì)互擴(kuò)散。柵電極區(qū)域中可以實(shí)現(xiàn)高電場(chǎng)，從而提高放大器效率。不同的柵電極材料采用不同的柵氧化膜厚度。這種結(jié)構(gòu)在飽和狀態(tài)下可實(shí)現(xiàn)控制良好的設(shè)備屬性，即便在低工作電壓下也可實(shí)現(xiàn)。 這種新設(shè)備制造工藝還適用于高級(jí)數(shù)字大規(guī)模集成電路制造所使用的高介柵極絕緣層。 |
