基于Keithley高壓靜電計(jì)的SiC器件兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

查看數(shù): 680 | 評(píng)論數(shù): 0 | 收藏 0

關(guān)燈 | 提示：支持鍵盤翻頁<-左右->

發(fā)布時(shí)間: 2025-3-31 13:02

一、引言1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等）使其在高壓、高溫及高頻應(yīng)用場景中 ...

回復(fù)

快速回復(fù) 返回頂部 返回列表