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基于Keithley高壓靜電計的SiC器件兆伏級瞬態(tài)擊穿特性研究

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發(fā)布時間: 2025-3-31 13:02

正文摘要:

一、引言1.1 SiC材料在高壓電力電子領域的應用背景碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導率等）使其在高壓、高溫及高頻應用場景中 ...

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