基本特點(diǎn)： ①VP-1000語(yǔ)言合成芯片是采用CMOS工藝制造，連續(xù)可變斜率增量調(diào)制技術(shù)(CvSD) 的大規(guī)模集成電路。 ②芯片適合配接靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM或只讀存儲(chǔ)器ROM或EPROM。尋址能力為32k×8位。 ③ ...

HY18B引腳排列和外接線圖

基本特點(diǎn): ①語(yǔ)言錄放電路ISD2590系列按錄放存儲(chǔ)時(shí)間和采樣速率的不同分為ISD2545(45s)、ISD2560(60s)、ISD2575(75s)、IS￡I2590(90s)共四種，這里以介紹ISD2590為例。 ②ISD2560實(shí)質(zhì)是一個(gè)模擬 ...

HY8000A系列電路還可以根據(jù)需要采用多片串聯(lián)、并聯(lián)或混聯(lián)使用。從而增加其語(yǔ)音時(shí)長(zhǎng)。并聯(lián)的接法可以得到多段語(yǔ)音輸出。多片串聯(lián)、并聯(lián)接法如圖所示電路。具體應(yīng)用非常靈活多樣。例如兩片并聯(lián)使 ...

電話留言時(shí)序圖 電話留言錄音部分電路

TC8830AF和單片機(jī)的接口電路圖 下面是在直接模式下語(yǔ)音錄制/再生的程序清單： 其流程圖如下所示： 直接方式下的再生流程框圖 ...

基本特點(diǎn)： ①采用CMOS工藝制造。 ②采用自適應(yīng)增量8調(diào)制(ADM)方式。 ③外接動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器，片內(nèi)有DRAM刷新電路。可外接4片64k位或4片256k位的 DRAM芯片，聲音的錄制／再生時(shí)間可達(dá)128s左右 ...

T6668和單片機(jī)8031的接口電路所下圖所示： T6668和單片機(jī)8031的接口電路 兩種模式下錄音/放音的流程圖如圖（1）、（2）、（3）、（4）所示： 圖（1）標(biāo)記索引模式下的聲音錄制流 ...

硬件電路： 詳細(xì)程序如下：

AN7114在Vvv=6.0V，THD=10%，RL=8Ω條件下，輸出功率可達(dá)0.6W，噪聲輸出3mV。 極限參數(shù)：Vcc=11V，耗散功率（不帶散熱器）為1.2W，帶散熱器的條件下為2.25W。工作溫度-20—70℃，適合于小型 ...

AN7114在Vvv=9.0V，THD=10%，RL=8Ω條件下，輸出功率可達(dá)2.1W，噪聲輸出3mV。 極限參數(shù)：Vcc=13V，耗散功率（不帶散熱器）為1.2W，帶散熱器的條件下為2.25W。工作溫度-20—70℃，適合于小型 ...