可控硅移相觸發(fā)器KC04電路適用于單相、三相全控橋式供電裝置中,作可控硅的雙路脈沖移相觸發(fā)。KC04器件輸出兩路相差180的移相脈沖,可以方便地構(gòu)成全控橋式觸發(fā)器電路。該電路具有輸出負(fù)載能力 ...
用CMOS與非門或者或非門都可以組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,這種單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器在電路中廣泛地用于對脈沖信號的延時、展寬和整形等。用門電路組成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,它的主要原理是利用門電路輸入端的閾值電平 ...
如圖所示是一個負(fù)脈沖觸發(fā)的寬延時單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,它提供了數(shù)秒的延時時間,用于定時精度要求不高的場合。圖中延時主要決定于電容C。對于TTL電路來說,R的阻值一般為5~10kΩ。下表中列出了R ...
如圖所示積分器漂移非常小,在溫度為-55 C~+125 C范圍內(nèi)不會超過500μV/s。圖中基本積分器由運算放大器、電阻R1和電容C1構(gòu)成。為了改進(jìn)積分器的穩(wěn)定性,該電路在運算放大器的同相輸入端加有電 ...
如圖所示為高速積分電路。該電路中積分時間常數(shù)RtCt有較大的變化范圍。如果不考慮積分電容Ct,A2是一個具有正反饋補償?shù)膶拵Ы涣鞣糯笃。A2的負(fù)反饋回路中加上電容Ct,則構(gòu)成積分器。由于輸入信 ...
如圖所示為擴(kuò)大了定時范圍的積分電路。該積分器能比較容易地做到具有很短和很長的時間常數(shù)。電路的輸出電壓為:
積分時間常數(shù)為(R2/R1)RC,若電阻R1、R2的精度為±0.1%,則可以得 ...