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主題：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介紹
時間：2015-11-04 10:00
簡介：傳統(tǒng)硅材料在開關(guān)電源系統(tǒng)上已經(jīng)發(fā)展了幾十年，就目前來講硅材料的發(fā)展空間很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不過目前已經(jīng)發(fā)展進(jìn)入了功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域因為GaN適合高頻高壓的場合。作為下一代功率器件GaN HEMT已經(jīng)做好了替代 Si MOSFET的一切準(zhǔn)備，其強勁的性能主要表現(xiàn)在超好的技術(shù)參數(shù)RDSON,QG,QRR等一系列影響到功率器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。GaN HEMT用在開關(guān)電源系統(tǒng)上面可以顯著的提高系統(tǒng)的開關(guān)效率，在硬開關(guān)下面提高開關(guān)頻率使得系統(tǒng)體積更小，從而更顯著的提高其功率密度。Transphorm這家公司專注于GaN的研究已經(jīng)接近十年，公司成立于美國的加州Goleta，員工超過130人，專利超過250個，而且是目前唯一一個通過JEDEC認(rèn)證的GaN的企業(yè)，F(xiàn)UJITSU目前與Transphorm合作為客戶提供GaN HEMT的技術(shù)支持及產(chǎn)品。

主題：RFID世界的“高帥富” --- 富士通FRAM RFID 產(chǎn)品介紹與應(yīng)用
時間：2015-09-18 10:00
簡介：本次座談將介紹富士通FRAM FRID產(chǎn)品，富士通半導(dǎo)體開發(fā)并生產(chǎn)內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品，覆蓋了HF（高頻：13.56MHz）和UHF（超高頻：860至960MHz）。嵌入式FRAM是其最佳的特性之一；FRAM可以實現(xiàn)更高的速度寫入，更低的功耗和更高的讀寫次數(shù)。我們推出的具有大存儲尺寸的無源RFID廣泛用于工業(yè)，醫(yī)療，航空等領(lǐng)域。歡迎工業(yè)控制,工廠自動化，物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，醫(yī)療等領(lǐng)域的工程師朋友參加！