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H6266B：高壓降壓領域的高效穩(wěn)定之選 在高壓供電場景中，一款性能可靠、外圍簡潔的降壓芯片往往是電路設計的關鍵。H6266B 作為內(nèi)置 150V 耐壓 MOS 的高壓降壓開關控制器，憑借其寬壓輸入、輸出及保護功能，在汽車電子、儀表供電等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢 高耐壓寬輸入，應對多樣高壓環(huán)境 H6266B 內(nèi)置 150V 高壓 MOS，支持 20V-130V 的寬輸入電壓范圍，能夠應對 48V、60V、72V、90V、100V、120V 等多種常見高壓輸入，穩(wěn)定降壓至 3.3V、5V、12V 等常用電壓。這種出色的電壓適應能力，使其在電動車儀表、汽車充電器等電壓波動較大的環(huán)境中表現(xiàn)穩(wěn)定，無需額外設計復雜的預處理電路，大大簡化了系統(tǒng)架構。 輸出與高效轉(zhuǎn)換，保障供電質(zhì)量 作為一款高性能降壓芯片，H6266B 的輸出電壓精度控制在 ±3.5% 以內(nèi)，集成輸入線路電壓補償和高帶寬環(huán)路，確保在輸入電壓和負載變化時，輸出電壓仍能保持穩(wěn)定，為儀表等對供電質(zhì)量要求高的設備提供可靠保障。同時，其轉(zhuǎn)換效率 95%，在輕型負載下自動進入 PWM+PFM 模式，有效降低能量損耗，結合低的待機功耗，進一步提升了系統(tǒng)的能效比。 靈活配置與穩(wěn)定控制，簡化設計流程 H6266B 采用峰值電流模式控制，動態(tài)響應快，環(huán)路穩(wěn)定性強，典型開關頻率為 130KHz，小開關頻率設計為 5KHz，確保了良好的輸出動態(tài)響應。輸出電壓可通過調(diào)節(jié) VFB 采樣電阻靈活設置，低可至 3.3V，滿足不同負載的供電需求。內(nèi)部集成的限流功能，無需額外元件即可實現(xiàn)電流限制，進一步簡化了外圍電路設計，縮短了研發(fā)周期。 多重保護與強化散熱，提升系統(tǒng)可靠性 為應對復雜的工業(yè)環(huán)境，H6266B 配備了多重的保護機制：軟啟動功能有效減弱熱拔插時的浪涌沖擊，降低輸出電壓過沖風險；過流保護（OCP）、過熱保護（OTP）和輸出短路保護（SCP）實時監(jiān)控電路狀態(tài)，在異常情況下迅速響應，保護芯片及負載設備。采用 ESOP-8 封裝，底部設計功率散熱焊盤并與 VIN 輸入端及內(nèi)置 MOS 漏極連接，顯著增強散熱能力，確保芯片在高負載下長期穩(wěn)定工作。 聚焦場景應用，發(fā)揮性能優(yōu)勢 H6266B 的典型應用場景集中在高壓供電領域： 汽車電子：汽車充電器、車載設備供電，適應車輛電氣系統(tǒng)的電壓特性； 電動車領域：電動車儀表供電，滿足高壓電池系統(tǒng)的降壓需求。 對于從事高壓降壓電路設計的工程師而言，H6266B 以其高耐壓、寬輸入、高精度、強保護的特點，提供了一種簡潔高效的解決方案，有助于提升系統(tǒng)可靠性并降低設計難度，是高壓降壓應用中的不錯選擇。 
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