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功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進(jìn)。 新模型“ROHM Level 3(L3)”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計階段的器件評估與損耗確認(rèn)的效率。 “ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款機型)已于2025年4月在官網(wǎng)上發(fā)布，用戶可通過產(chǎn)品頁面等渠道下載。新模型L3推出后，以往模型仍將繼續(xù)提供。另外，ROHM還發(fā)布了詳細(xì)的使用說明白皮書，以幫助用戶順利導(dǎo)入新模型。 |
