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Ramtron推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。 與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay) 寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲(chǔ)器的理想方案。 32K x 8 的標(biāo)準(zhǔn)并口非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，并提供超過635年(55℃) 的數(shù)據(jù)保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù) (寫入次數(shù)大約為1014次) 等特點(diǎn)，使其成為RAID存儲(chǔ)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。 FM14C88 在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它 SRAM 器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn) SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM14C88可在整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。 FM14C88 F-RAM器件的特性包括： • 無延遲 (NoDelay) 寫入 FM14C88 并口存儲(chǔ)器已獲得全球著名RAID供應(yīng)商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優(yōu)勢(shì)已獲得業(yè)界公認(rèn)。 |
