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X波段2×3平面開關(guān)矩陣設(shè)計
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發(fā)表于 2016-10-26 15:28:41
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關(guān)鍵詞:
X波段
,
開關(guān)
,
矩陣設(shè)計
摘要
提出一種設(shè)計平面開關(guān)矩陣的方法。通過使用單刀單擲(SPST)芯片開關(guān)、芯片功分器和0 dB定向耦合器等簡單
電路
實現(xiàn)開關(guān)矩陣的平面拓撲。由于
射頻
電路使用鍵合工藝將芯片、微帶無源電路進行連接,因此與傳統(tǒng)開關(guān)矩陣相比,具有體積小、重量輕、工藝簡單、可靠性高的特點。最后通過對一個X波段2×3平面開關(guān)矩陣設(shè)計和測試,證明了該設(shè)計的有效性。
關(guān)鍵詞
開關(guān)矩陣;微帶電路;定向耦合器
微波開關(guān)矩陣由于可以提供多路微波信號的選通,在多波束一時分多址通信系統(tǒng)以及
電子
戰(zhàn)系統(tǒng)中可以實現(xiàn)上行和下行等多通道微波信號之間的互聯(lián),因此在微波系統(tǒng)中具有重要的作用。傳統(tǒng)的微波開關(guān)矩陣中多使用多層板電路實現(xiàn)傳輸線之間的交叉互聯(lián),由于工藝限制,使得設(shè)計復雜且成品率低。開關(guān)矩陣MMIC芯片可以實現(xiàn)小型化和高可靠性的開關(guān)矩陣,但是相關(guān)的開關(guān)矩陣產(chǎn)品例如Hittite的產(chǎn)品限制在10 GHz以下,國內(nèi)的射頻芯片生產(chǎn)單位目前沒有可用的產(chǎn)品,因此給生產(chǎn)制作開關(guān)矩陣帶來較大難度。在文獻中提出了兩種實現(xiàn)DPDT的方法,但back to back結(jié)構(gòu)只能實現(xiàn)單路導通,不可以兩路同時工作,ring type結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)兩路同時導通,但輸入輸出端不能出現(xiàn)在同一水平面上,不方便在系統(tǒng)中使用;該文獻中的結(jié)構(gòu)在多通路開關(guān)矩陣中將不可用。
本文立足于當前國內(nèi)的成熟工藝條件,提出了一種設(shè)計平面開關(guān)矩陣的方法。通過使用定向耦合器實現(xiàn)傳輸線之間的交叉互聯(lián),使用PIN單刀單擲和單刀多擲開關(guān)MMIC芯片和鍵合工藝實現(xiàn)開關(guān)矩陣的小型化和高可靠性。
1 設(shè)計方法理論分析
雙刀雙擲開關(guān)矩陣RF原理如圖1所示,圖中的1—4端口均端接單刀雙擲開關(guān),實現(xiàn)端口之間的選通。該原理圖中包括一個交叉點,通過該交叉點實現(xiàn)通路1→4和通路2→3。
使用支線耦合器可以實現(xiàn)交叉點的互聯(lián)。
圖2中各分支線長度為λg/4,旁邊標注為該分支線的歸一化導納。按照文獻有
其中分支線長度主要決定了耦合器的中心頻率,H的選擇可以決定帶寬和耦合平衡比。
所以將雙刀雙擲開關(guān)的交叉點使用0 dB分支線耦合器代替后的電路原理圖如圖3所示。對于其他多刀多擲開關(guān)矩陣中的交叉點同樣可以使用0 dB分支線耦合器,從而實現(xiàn)單平面電路。
2 設(shè)計實例
設(shè)計工作于12±0.1 GHz的開關(guān)矩陣,輸入功率為10 dBm,輸出功率≥13 dBm。邏輯控制要求如表1所示。
說明:0、1表示TTL控制電平
(1)方案設(shè)計。端口1首先經(jīng)過功分器分為兩路,其中一路繼續(xù)進行功分后驅(qū)動端口3,另外一路經(jīng)過耦合器后功分驅(qū)動端口4和5;端口2首先經(jīng)過功分器分為兩路,其中一路繼續(xù)進行功分,分出后驅(qū)動端口5,另外一路經(jīng)過耦合器后功分驅(qū)動端口3和4。經(jīng)過功分器和耦合器之后的支路通過SPST和SPDT進行邏輯控制,然后使用
放大器
放大到需要的電平從端口3、4、5輸出,原理如圖4所示。
(2)耦合器
仿真
。按照式(1)和式(2),當耦合度C=0 dB時,計算得到G1=1,取H=G2=1。選用Rogers5880的介質(zhì)板,厚度為0.254 mm,介電常數(shù)為2.2。利用ADS自帶的微帶計算工具Linecalc計算得到1/4波長50 Ω微帶線寬度為0.78 mm,長度為4.54 mm。在ADS中建立模型優(yōu)化得到版圖和仿真結(jié)果如圖5所示。從仿真曲線可以看出,在理想情況下插入損耗為0.016 dB,端口駐波系數(shù)在20 dB以下,可以滿足使用要求。
(3)其他問題。為減小組件體積,其余電子元器件均選用GaAs的MMIC芯片。其中單刀雙擲開關(guān)芯片、單刀單擲開關(guān)芯片、功分器芯片分別使用中國電科13所生產(chǎn)的NC1667C-618、NC1669C-218和BW494,放大器芯片使用Hittite公司生產(chǎn)的HMC564。使用單刀單擲開關(guān)是為了增加開關(guān)的隔離度。
設(shè)計完成后的結(jié)構(gòu)外形圖如圖6所示,組件外形為40 mm×60 mm×15 mm,射頻端口為2.92 mm的K型陰頭,邏輯控制、供電、接地端口為玻璃絕緣子。
(4)測試結(jié)果。實物如圖7所示,對盒蓋進行激光封蓋。經(jīng)過調(diào)試后,射頻端口駐波均在1.2以下,輸出功率13.5±0.2 dBm,滿足設(shè)計指標。
3 結(jié)束語
本文提出了利用耦合器進行射頻支路交叉的方法,可以使微波開關(guān)矩陣等復雜形式電路在同一平面內(nèi)實現(xiàn)。同時給出了利用該方法設(shè)計的X波段2×3開關(guān)矩陣,實測結(jié)果滿足設(shè)計要求,證明該方案有效可行。使用耦合器進行射頻交叉可以有效簡化電路形式,提高微波組件的可靠性,對微波組件研制生產(chǎn)具有重要意義。但該中方法中端口之間的隔離度主要取決于耦合器的端口隔離度,所以需要進一步研究以提高耦合器的隔離度。
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