色偷偷偷久久伊人大杳蕉,色爽交视频免费观看,欧美扒开腿做爽爽爽a片,欧美孕交alscan巨交xxx,日日碰狠狠躁久久躁蜜桃

無源器件/分立半導體文章列表

超小型滑動開關的選擇及使用

超小型滑動開關的選擇及使用

來源:DigiKey 作者:Art Pini 我們曾經(jīng)制作過的第一個電路可能包含一個電池、一盞燈和一個開關,閉合開關時,燈亮;斷開開關時,燈滅。我們就是這樣認識到開關在電子設計中的作用的。設計 ...
2024年04月08日 09:38   |  
滑動開關  
可編程差分振蕩器,頻點125MHz,LVDS輸出,用于尿液分析儀

可編程差分振蕩器,頻點125MHz,LVDS輸出,用于尿液分析儀

尿液分析儀是測定尿中某些化學成分的自動化儀器,它是醫(yī)學實驗室尿液自動化檢查的重要工具,具有操作簡單、快速等優(yōu)點。儀器在計算機的控制下通過收集、分析試帶上各種試劑塊的顏色信息,并經(jīng)過 ...
2024年04月07日 14:28   |  
晶振   有源晶振   晶體振蕩器   石英晶體振蕩器  
25MHz石英晶體振蕩器應用于PCS儲能變流器,常溫頻差±20ppm

25MHz石英晶體振蕩器應用于PCS儲能變流器,常溫頻差±20ppm

電池儲能作為大規(guī)模儲能系統(tǒng)的重要形式之一,具有調(diào)峰、填谷、調(diào)頻、調(diào)相、事故備用等多種用途。與常規(guī)電源相比,大規(guī)模儲能電站能夠適應負荷的快速變化,對提高電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行水平、電網(wǎng) ...
2024年04月03日 17:39   |  
晶振   有源晶振   晶體振蕩器   石英晶體振蕩器   pcs儲能  
可編程振蕩器 7.3728MHz,封裝7050,工作電壓3.3V,用于診斷儀器

可編程振蕩器 7.3728MHz,封裝7050,工作電壓3.3V,用于診斷儀器

醫(yī)學檢測儀器是現(xiàn)代醫(yī)學中必不可少的一種工具,它們使用先進的技術和方法來幫助醫(yī)生診斷疾病、評估患者健康狀況以及監(jiān)測和治療疾病。 例如,影像學檢測儀器主要用于觀察和分析人體內(nèi)部的器官和 ...
2024年04月02日 18:53   |  
有源晶振   晶體振蕩器   可編程晶振   石英晶體振蕩器  
低壓MOS在新能源園林機械上的應用-REASUNOS瑞森半導體

低壓MOS在新能源園林機械上的應用-REASUNOS瑞森半導體

一、前言在歐美地區(qū),以鋰電池為動力源的新能源園林機械迅速地替代著以往的燃油和交流電動力機器。而中國也將迎來一場風暴式革命。園林工具是人類綠化景觀的養(yǎng)護設備,是以養(yǎng)護草坪、綠籬、保護 ...
2024年03月29日 17:59   |  
電動工具   園林工具   打草機   鏈鋸   修枝機  
《電子學》一書中電路的熱敏電阻和RTD仿真

《電子學》一書中電路的熱敏電阻和RTD仿真

來源:DigiKey 作者: Alain Stas 這篇文章的核心內(nèi)容來自 Paul Horowitz 和 Winfield Hill 的傳奇著作《The Art of Electronics》(中文名《電子學》),該書為全球廣大電子工程師所熟知, ...
2024年01月15日 10:47   |  
電子學   熱敏電阻   RTD仿真  

經(jīng)驗分享-晶體與晶振對比分析

對于電子工程師而言,晶體和晶振是電路中不可或缺的關鍵元件,尤其在涉及到時鐘信號和同步操作時。雖然兩者在功能上有著相似之處,但在實際應用、電路設計以及布局布線等方面卻存在著顯著的區(qū)別 ...
2024年01月02日 20:32   |  
晶體   晶振  
請注意!這幾個電感參數(shù)千萬別忽略!

請注意!這幾個電感參數(shù)千萬別忽略!

來源:DigiKey 作者:Alan Yang 在電感電路設計過程中,我們往往只留意電感值大小,卻容易忽略電感值還會隨著頻率變化;找到了電感的直流電阻,卻忽略留意其交流電阻的特性。本文嘗試分享一 ...
2023年11月30日 09:26   |  
電感  

傳感器在智能消防裝備有毒可燃氣體監(jiān)測中的應用

消防應急救援是國家與人民生命財產(chǎn)安全的重要保障,自2018年10月起,根據(jù)中共中央的《深化黨和國家機構(gòu)改革方案》,公安消防部隊(武警消防部隊)和武警森林部隊已經(jīng)退出現(xiàn)役,并整建制地劃歸到 ...
2023年11月29日 09:50
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性

碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 與IGBT 不同,不存在開啟電壓,所以從小電流到大電流的寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導通損耗。 而Si‐MOSFET 在150℃時導通電阻上升為室溫條件下的2 ...
2023年09月20日 15:41   |  
車載OBC   碳化硅半導體   逆變器   變流器PCS  
電容并不總是容性的!

電容并不總是容性的!

作者:René Kalbitz 博士,伍爾特電子電容產(chǎn)品經(jīng)理。 在理想元件理論中,電容表現(xiàn)為容性。然而,這僅在特定的工作條件下成立,且取決于頻率范圍。本文重點介紹不同電容的阻抗特性,并說明電 ...
2023年09月15日 18:35   |  
容性   電容  

廠商推薦

本周文章排行榜

關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網(wǎng)安備11010502021702
返回頂部