吉時利數(shù)字源表2450如何實現(xiàn)MOSFET柵極漏電流的超低噪聲測量

查看數(shù): 1924 | 評論數(shù): 0 | 收藏 0

關(guān)燈 | 提示：支持鍵盤翻頁<-左右->

發(fā)布時間: 2025-7-25 16:32

一、引言隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，MOSFET的尺寸不斷縮小，柵極漏電流成為影響器件性能的重要因素。柵極漏電流不僅增加電路功耗，還可能引入噪聲，影響信號完整性。因此，準(zhǔn)確測量柵極漏電流及其噪聲特性對器件研發(fā) ...

回復(fù)

快速回復(fù) 返回頂部 返回列表