碳化硅器件，國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)和優(yōu)勢(shì)

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發(fā)布時(shí)間: 2022-5-30 10:43

與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元件的 ...

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