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標(biāo)題: 雙通道 DMOS 全橋驅(qū)動器 MS35656 步進(jìn)驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控攝像機(jī) [打印本頁]

作者: 鑫邦旺科技 時間: 2025-8-30 14:58
標(biāo)題: 雙通道 DMOS 全橋驅(qū)動器 MS35656 步進(jìn)驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控攝像機(jī)
產(chǎn)品描述：

MS35656/MS35656N 是一款雙通道 DMOS 全橋驅(qū)動器，可以驅(qū)動一個步進(jìn)電機(jī)或者兩個直流電機(jī)。每個全橋的驅(qū)動電流在 24V 電源下可以工作到 1.4A。MS35656/MS35656N 集成了固定關(guān)斷時間的 PWM 電流校正器，以及一個 2bit 的非線性 DAC（數(shù)模轉(zhuǎn)換器），使得步進(jìn)電機(jī)可以工作在全步進(jìn)、半步進(jìn)、四分之一步進(jìn)，直流電機(jī)可以工作在正轉(zhuǎn)，反轉(zhuǎn)以及待機(jī)模式。PWM 電流校正器可以選擇快衰減，慢衰減及混合衰減模式，從而針對不同電機(jī)以減小音頻電機(jī)噪聲。芯片還內(nèi)置內(nèi)部同步整流控制電路，以降低 PWM 工作時的功耗。芯片集成的保護(hù)電路有欠壓保護(hù)(UVLO)、短路保護(hù)、翻轉(zhuǎn)電流保護(hù)以及過熱保護(hù)。

主要特點(diǎn);

• 峰值電流 2A

• 雙通道全橋

驅(qū)動一個步進(jìn)電機(jī)或者兩個直流電機(jī)

• 同步整流

• 內(nèi)置 UVLO

• 過熱保護(hù)

• 翻轉(zhuǎn)保護(hù)

• 極低功耗的睡眠模式

• 短路保護(hù)（對電源、對地以及輸出間短路）

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功能描述

器件特性

MS35656/MS35656N 可以驅(qū)動單個步進(jìn)電機(jī)或兩個直流電機(jī)。輸出全橋為四個 N 型 DMOS 驅(qū)動管，受控于脈沖寬度調(diào)制電路(PWM)。每個 H 全橋的輸出峰值電流由 ISENX 和 xVREF 共同決定。

全橋控制邏輯

xPHASE 輸入腳控制 H 橋的電流方向。xENBL 腳為高時，會打開相應(yīng)的全橋輸出。下表是全橋控制的邏輯：

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內(nèi)部 PWM 電流控制原理

每個 H 全橋帶有固定衰減時間的 PWM 電流控制電路，使得負(fù)載電流不超過設(shè)定值 I

Trip。初始時，H 橋?qū)堑囊粚υ绰?DMOS 驅(qū)動管打開，電流流入電機(jī)和電路檢測 Rsense 電阻。當(dāng) Rsense 上的電壓的 5 倍等于 VREF 端口電壓時，電流檢測比較器重置 PWM 鎖存器，關(guān)斷源端 DMOS 驅(qū)動管。最大電流限制由 Rsense(Rs)電阻大小以及 VREF 端的電壓共同決定，最大電流公式如下：

注意，應(yīng)用中 Rsense 上的最大電壓值不要超過±500mV。另外，xI1 和 xI0 用來控制電流滿量程的占比，占比由 VREF 和 Rsense 設(shè)置。功能如下表：

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通過控制，可以實現(xiàn)全、半與四分之一步長模式。詳見下文“步進(jìn)相序圖”部分。

固定關(guān)斷時間

內(nèi)部的 PWM 控制電路集成一個固定時間脈沖來關(guān)斷驅(qū)動器，關(guān)斷時間 toff 內(nèi)置為 18μs。

空白時間

當(dāng)內(nèi)部電路控制使得輸出發(fā)生變化時，此功能可以關(guān)斷輸出電流檢測比較器，以防止輸出誤檢

測，比如過沖電流、鉗位二極管的反向恢復(fù)電流、輸出電容引起的反向傳輸?shù)取？瞻讜r間設(shè)置為

1μs。電荷泵（CP1 與 CP2）

電荷泵電路產(chǎn)生一個比 VM 高的電源，來驅(qū)動 H 橋的源端 DMOS 管。應(yīng)用中，由于充放電的需

要，CP1 與 CP2 間需要接一個 0.01μF 的陶瓷電容。VCP 與 VMx 之間也需要接一個 0.1μF 的陶瓷電容

來存儲電荷。

關(guān)斷功能

當(dāng)出現(xiàn)超過結(jié)溫、VCP 過低等意外情況時，輸出被關(guān)斷。在啟動時，低壓關(guān)斷電路(UVLO)可以關(guān)

斷輸出。

同步整流

當(dāng)內(nèi)部固定衰減時間電路觸發(fā)，PWM 關(guān)斷起作用時，負(fù)載電流會產(chǎn)生回流。在電流衰落的過程

中，MS35656/MS35656N 的同步整流電路會打開相應(yīng)的 DMOS 管，用 RDS(on)電阻來短接寄生體二極

管，可以有效降低功耗。當(dāng)檢測到零電流時，同步整流被關(guān)斷，以防止負(fù)載電流反向。

睡眠模式

當(dāng)所有的控制輸入腳接地，即 AENBL=APHASE=BENBL=BPHASE=0 時，并且低電平持續(xù)時間超過

2.8ms，MS35656/MS35656N 會進(jìn)入低功耗睡眠模式，此時芯片內(nèi)部所有模塊關(guān)閉，包括 V3P3OUT 管

腳輸出。當(dāng)這幾個輸入控制腳中有一個變高電平，芯片會被重新喚醒，開始工作。

過流保護(hù)

MS35656/MS35656N 集成了過流保護(hù)功能，能夠檢測輸出對電源、對地以及輸出間短路。當(dāng)檢測

到短路時間超過 2.5μs 時，芯片將輸出級關(guān)閉，關(guān)閉 20ms 后，芯片會嘗試自動重新開啟。

衰減模式

如下圖所示，在 PWM 斬波期間，H 橋開啟后，會驅(qū)動線圈電流達(dá)到設(shè)定的值。

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當(dāng)線圈電流達(dá)到設(shè)定的閾值后，H 橋可能工作在兩種狀態(tài)，快衰減或者慢衰減。

在快衰減模式下，當(dāng)線圈電流達(dá)到設(shè)定的閾值后，H 橋會反向開啟，讓線圈中的電流迅速下降。當(dāng)線圈中的電流接近 0 時，H 橋會立刻關(guān)閉，防止出現(xiàn)反向電流。在慢衰減模式下，線圈電流則通過開始雙下管來進(jìn)行衰減。 MS35656/MS35656N 支持快衰減、慢衰減以及混合衰減模式。通過 DECAY 腳，選擇這幾種模式。當(dāng) DECAY 腳的電壓大于 2V 為高電平時，選擇快衰減模式，觸發(fā) ITrip 后，電流運(yùn)行相反方向的兩個功率管打開，衰減周期 18μs；當(dāng) DECAY 腳的電壓小于 1.3V 為低電平時，選擇慢衰減模式，觸發(fā) ITrip 后，雙下管打開，衰減周期 18μs；當(dāng) DECAY 腳的電壓在 1.4V 到 1.9V 之間或者懸空時，選擇混合衰減模式，衰減周期 18μs。如下圖 2、圖 3 所示，觸發(fā) ITrip 后，混合衰減先從快衰減開始，持續(xù)整個衰減周期的 75%之后，再進(jìn)入慢衰減，整個衰減周期 18μs。

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應(yīng)用場景：

安防監(jiān)控

舞臺燈

玩具

機(jī)器人技術(shù)

醫(yī)療設(shè)備

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