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標(biāo)題: 禾納 MOS電源管理IC AET3152AP替代 TDM3307泰德芯片 [打印本頁]

作者: qq2755130042 時(shí)間: 2025-6-20 18:19
標(biāo)題: 禾納 MOS電源管理IC AET3152AP替代 TDM3307泰德芯片

禾納半導(dǎo)體的電源管理芯片AET3152AP不含鹵素和銻，符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用在交換機(jī)切換，便攜式/臺(tái)式機(jī)中的電源管理等，可pin to pin替代TDM3307或TDM2307.

AET3152AP 封裝為PDFN3030 ，最小包裝數(shù)為5000pcs

AET3152AP工作溫度范圍為，-55攝氏度到+125攝氏度

泰德TDM3307A是一款P溝道增強(qiáng)型MOSFET，以下是泰德TDM3307的主要特性：

類型 P溝道

漏源電壓（Vdss） 30V

連續(xù)漏極電流（Id） 24A

導(dǎo)通電阻（RDS(on)） 18mΩ@4.5V,24A

耗散功率（Pd）2.5W

柵極電荷量（Qg）52nC@10V

輸入電容（Ciss@Vds）3.067nF@15V

這些參數(shù)表明泰德TDM3307適用于需要高效率和低電阻的功率應(yīng)用，例如負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。它的緊湊型DFN封裝也使得它適合在空間受限的應(yīng)用中使用。AET3152AP可替代TDM3307或TDM2307.以下是AET3152AP的部分特性：

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