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標(biāo)題: CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關(guān)芯片 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2025-5-10 11:14
標(biāo)題: CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關(guān)芯片
深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長期（供應(yīng)及回收）原裝庫存器件！
【供應(yīng)，回收】IC器件：CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關(guān)芯片。
【長期供應(yīng)】只做原裝，庫存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【長期回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

IPD70R600P7S：700V，CoolMOS™ P7 N通道功率MOSFET 晶體管，TO-252-3
型號：IPD70R600P7S
封裝：TO-252-3
類型：CoolMOS™ P7 功率晶體管
IPD70R600P7S——規(guī)格參數(shù)：
系列：CoolMOS™ P7
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 1.8A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：364 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：43W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

HMC8038LP4CETR：0.1GHz至6.0GHz，高隔離度、硅SPDT、非反射開關(guān)
型號：HMC8038LP4CETR
封裝：LFCSP-16
類型：單刀雙擲(SPDT)開關(guān)芯片
概述：HMC8038LP4CETR是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)芯片，采用無引腳、表貼封裝。該開關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點(diǎn)。
HMC8038LP4CETR——產(chǎn)品屬性：
非反射式50 Ω設(shè)計(jì)
高隔離度： 60 dB（典型值）
低插入損耗： 0.8 dB（典型值）
高功率處理
34 dBm（通過路徑）
29 dBm（端接路徑）
高線性度
0.1 dB壓縮(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）
輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 60 dBm（典型值）
ESD額定值
4 kV人體模型(HBM)，3A類
1.25 kV充電器模型(CDM)
單正電源
3.3 V至5 V
1.8 V兼容控制

【供應(yīng)，回收】IC器件：CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關(guān)芯片，明佳達(dá)電子，星際金華長期供求原裝庫存器件，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

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