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標(biāo)題: 基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的STM32F767VGT6微控制器——BSC020N03MSG性能 [打印本頁]

作者: Mindy—mjd 時間: 2025-4-21 17:56
標(biāo)題: 基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的STM32F767VGT6微控制器——BSC020N03MSG性能
STM32F767VGT6是一款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的高性能微控制器，工作頻率高達(dá)216MHz，具備浮點(diǎn)運(yùn)算單元（FPU）和一整套DSP指令，適用于需要高性能計(jì)算的應(yīng)用場景‌。
關(guān)鍵參數(shù)
核心處理器：ARM® Cortex®-M7
內(nèi)核規(guī)格：32 位單核
速度：216MHz
連接能力：CANbus，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，UART/USART，USB OTG
外設(shè)：掉電檢測/復(fù)位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)：82
程序存儲容量：1MB（1M x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：-
RAM 大�。�512K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：100-LQFP（14x14）
應(yīng)用領(lǐng)域
STM32F767VGT6適用于多種應(yīng)用場景，包括但不限于：
‌工業(yè)控制‌：適用于工業(yè)自動化控制系統(tǒng)、機(jī)器人控制、智能電網(wǎng)監(jiān)控等‌。
‌音頻處理‌：由于其強(qiáng)大的處理能力和音頻接口，適用于音頻處理和多媒體應(yīng)用‌。
‌其他應(yīng)用‌：如智能家居、汽車電子、通信設(shè)備等，利用其高性能和豐富的外設(shè)接口實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能和控制‌。
明佳達(dá)電子現(xiàn)貨供應(yīng)基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的STM32F767VGT6微控制器，BSC020N03MSG N通道功率MOSFET。

BSC020N03MSG是一款N-Channel MOSFET，最大漏源電壓為30V，最大漏極電流在25A（TA）和100A（TC）之間‌。該MOSFET采用TDSON-8封裝，尺寸為8引腳‌。BSC020N03MSG適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中的電壓調(diào)節(jié)器解決方案，以及筆記本電腦的電源管理‌。
其性能優(yōu)勢
‌低導(dǎo)通電阻‌：具有極低的導(dǎo)通電阻，適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。
‌小尺寸封裝‌：TDSON-8封裝提供了較小的物理尺寸，便于在緊湊的空間內(nèi)使用。
‌高可靠性‌：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于環(huán)保要求高的應(yīng)用‌
基本參數(shù)
‌類型‌：N-Channel MOSFET
‌漏源電壓‌：30V
‌最大漏極電流‌：100A（TC）和25A（TA）
‌最大漏源導(dǎo)通電阻‌：0.0025Ω
‌最大功率耗散‌：96W（TC）和2.5W（TA）
‌封裝形式‌：PG-TDSON-8-1
‌工作溫度范圍‌：-55°C ~ 150°C
廣泛的應(yīng)用：BSC020N03MSG器件適用于需要高電流處理和高溫環(huán)境的電路設(shè)計(jì)，特別適合于開關(guān)應(yīng)用，如電機(jī)控制、電源管理、LED驅(qū)動等‌。

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