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標(biāo)題: 高耐用性工業(yè)存儲(chǔ)芯片解決方案 [打印本頁(yè)]

作者: 英尚微電子 時(shí)間: 2024-8-30 17:23
標(biāo)題: 高耐用性工業(yè)存儲(chǔ)芯片解決方案
英尚提供的xSPI串行接口通過8個(gè)時(shí)鐘頻率為200MHz的I/O信號(hào)提供每秒400兆字節(jié)的完全讀寫帶寬。提供了性能、耐用性和保持力的最高組合，現(xiàn)在提供4到64兆位的密度，并為4到16兆位產(chǎn)品提供了新的更小的封裝。新的5mmx 6mm DFN封裝比現(xiàn)有產(chǎn)品節(jié)省37%的面積。除了新的容量和更小的封裝，可以取代替代解決方案，如SRAM、BBSRAM、FRAM、NVSRAM和NOR閃存器件。它非常適合數(shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗、低延遲和安全性至關(guān)重要的電子系統(tǒng)，例如工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)/企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、過程自動(dòng)化和控制、航空/航空電子、醫(yī)療、游戲和FPGA配置。

在快速增長(zhǎng)的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)中，客戶比以往任何時(shí)候都更需要在任何情況下保護(hù)關(guān)鍵系統(tǒng)數(shù)據(jù)，尤其是在斷電的情況下，而不用擔(dān)心磨損或數(shù)據(jù)完整性問題。現(xiàn)在不僅具有類似SRAM的低延遲性能和無需電源即可保持內(nèi)存的能力，還具有擴(kuò)展的溫度范圍以滿足不同的環(huán)境需求。通過添加4Mb容量選項(xiàng)，MRAM設(shè)備提供了更多選項(xiàng)來選擇最佳密度解決方案。它們繼續(xù)提供極高的耐用性，保持與其他存儲(chǔ)器類型的兼容性，并且易于集成到客戶的設(shè)計(jì)中。

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