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標(biāo)題: 5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率大電流損耗小低內(nèi)阻 [打印本頁]

作者: HHZHOUQIN 時(shí)間: 2024-6-27 10:33
標(biāo)題: 5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率大電流損耗小低內(nèi)阻

HG160N10LS采用先進(jìn)的SFGMOS技術(shù)，提供低 RDS（ON），低門充電，快速切換和出色的雪崩特性。該設(shè)備是專門設(shè)計(jì)的以獲得更好的耐用性，并適用于在同步整流應(yīng)用。N溝道場效應(yīng)管，封裝SOT23-3,開啟電壓1.7V 低結(jié)電容201pF ，應(yīng)用于各類照明、太陽能源、加濕器、美容儀、霧化器等開關(guān)等領(lǐng)域。

VDSmin:100V、ID:5A、RDS:135mΩ、Qg:4.3nC

HG160N10LS uses advanced SFGMOS technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Synchronous-rectification applications.

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