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標(biāo)題: （APM永源微）AP30N15D 150V 30A N溝道增強(qiáng)型MOSFET、封裝TO-252-3L [打印本頁(yè)]

作者: wu55555 時(shí)間: 2024-5-24 10:34
標(biāo)題: （APM永源微）AP30N15D 150V 30A N溝道增強(qiáng)型MOSFET、封裝TO-252-3L
概述：
AP30N15D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

一般特性
- V-DS=150V，I-D=30A
- V-GS=10V時(shí)，R-DS（開(kāi)啟）<52mΩ

數(shù)據(jù)手冊(cè)

應(yīng)用領(lǐng)域：【不間斷電源】【電池保護(hù)】【負(fù)載開(kāi)關(guān)】

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