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標(biāo)題: SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-24 16:19
標(biāo)題: SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。
應(yīng)用簡介：SI2323CDS-T1-GE3適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、穩(wěn)壓和逆變器等領(lǐng)域模塊，特別適合要求低功率損耗的場景。

VB2355.png (64.13 KB)

SI2323CDS-T1-GE3.pdf

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