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標題: SI2318CDS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-23 17:42
標題: SI2318CDS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)參數(shù)說明：極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：6.5A；導通電阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓：1.2~2.2V；封裝：SOT23
應(yīng)用簡介：SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N溝道MOSFET，適用于中功率應(yīng)用的開關(guān)控制。
具有適中的電流和導通電阻，使其在多種應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
常見的應(yīng)用包括電源開關(guān)、電機驅(qū)動、LED驅(qū)動等。
優(yōu)勢：中功率應(yīng)用：適用于中功率范圍內(nèi)的開關(guān)控制，如電源開關(guān)和電機驅(qū)動。
低導通電阻：低導通電阻有助于減少導通損耗，提高效率。
寬門源電壓范圍：適應(yīng)不同工作條件，提高穩(wěn)定性。
閾值電壓可調(diào)范圍：適合不同邏輯電平的控制。
適用模塊：SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 適用于中功率開關(guān)控制模塊，如電源管理模塊、電機驅(qū)動模塊等。
其中等功率和可調(diào)的閾值電壓使其適用于多種應(yīng)用場景，特別是需要適應(yīng)不同邏輯電平的情況。
請注意，實際使用中應(yīng)根據(jù)具體的電路需求進行詳細的設(shè)計和測試，以確保所選器件的性能和可靠性。

VB1330.png (64.07 KB)

SI2318CDS-T1-GE3.pdf

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