色偷偷偷久久伊人大杳蕉,色爽交视频免费观看,欧美扒开腿做爽爽爽a片,欧美孕交alscan巨交xxx,日日碰狠狠躁久久躁蜜桃

電子工程網(wǎng)

標(biāo)題: SI2300DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁(yè)]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-11-21 17:52
標(biāo)題: SI2300DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2300DS-T1-GE3 參數(shù)：N溝道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2300DS-T1-GE3是一款適用于中電流、低電壓的N溝道MOSFET。
其低閾值電壓使其適合低電壓邏輯驅(qū)動(dòng)。
常用于移動(dòng)設(shè)備、低電壓應(yīng)用等。
優(yōu)勢(shì)：適用于低電壓邏輯驅(qū)動(dòng)：低閾值電壓特性適合低電壓邏輯控制。
適用于移動(dòng)設(shè)備：適用于移動(dòng)設(shè)備、低電壓應(yīng)用等領(lǐng)域。
適用模塊：SI2300DS-T1-GE3適用于移動(dòng)設(shè)備和低電壓應(yīng)用的控制模塊，如手機(jī)、平板電腦等。

VB1240.png (83.9 KB)

SI2300DS-T1-GE3.pdf

304.33 KB, 下載積分: 積分 -1

歡迎光臨電子工程網(wǎng) (http://m.54549.cn/)