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標(biāo)題: NTD5867NLT4G-VB一款TO252封裝N溝道MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解 [打印本頁(yè)]
作者: VBsemi    時(shí)間: 2023-11-17 14:03
標(biāo)題: NTD5867NLT4G-VB一款TO252封裝N溝道MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解
NTD5867NLT4G (VBE1638)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，60V，45A，導(dǎo)通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：NTD5867NLT4G適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。


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NTD5867NLT4G.pdf

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