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標(biāo)題: 供應(yīng)32位MCU TMS5700432BPZQQ1R 高性能汽車級(jí)微控制器 [打印本頁(yè)] 作者: mingjiadadz 時(shí)間: 2023-6-20 12:05標(biāo)題: 供應(yīng)32位MCU TMS5700432BPZQQ1R 高性能汽車級(jí)微控制器明佳達(dá)公司供應(yīng)32位MCU TMS5700432BPZQQ1R 高性能汽車級(jí)微控制器 16/32 Bit RISC Flash MCU, Arm Cortex-R4, Auto Q-100 100-LQFP -40 to 125，只做原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，有需求的朋友歡迎聯(lián)系！
產(chǎn)品詳情：
TMS5700432BPZQQ1R器件是一款適用于安全系統(tǒng)的高性能汽車級(jí)微控制器。該安全架構(gòu)包括鎖步中的兩個(gè) CPU、CPU 和內(nèi)存 BIST 邏輯、閃存和數(shù)據(jù) SRAM 上的 ECC、外設(shè)存儲(chǔ)器上的奇偶校驗(yàn)以及外設(shè) I/O 上的環(huán)回功能。
TMS5700432BPZQQ1R器件集成了 ARM Cortex-R4 CPU。該 CPU 具有 1.66DMIPS/MHz 的高效性能，工作頻率可高達(dá) 80MHz，從而能夠提供高達(dá) 132 DMIPS 的計(jì)算能力。此器件支持大端序 (BE32) 格式。
TMS5700432BPZQQ1R器件分別具有 384KB 和 256KB 的集成閃存及 32KB 的數(shù)據(jù) RAM。閃存和 RAM 均帶有單位錯(cuò)誤糾正和雙位錯(cuò)誤檢測(cè)功能。該器件上的閃存存儲(chǔ)器是通過(guò) 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口實(shí)現(xiàn)的可電擦除且可編程的非易失性存儲(chǔ)器。該閃存采用 3.3V 電源輸入電壓（與 I/O 電源相同的電平）進(jìn)行全部的讀取、編程和擦除操作。在管道模式下，閃存以 80MHz 的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率運(yùn)作。SRAM 在整個(gè)受支持的頻率范圍內(nèi)支持以字節(jié)、半字、字和雙字模式的單周期讀取和寫入訪問(wèn)。
特性：
高性能汽車級(jí)微控制器，適用于安全關(guān)鍵型 微控制器 (MCU)
運(yùn)行在鎖步中的雙中央處理單元 (CPU)
閃存和 RAM 接口上的 ECC
針對(duì) CPU 和片上 RAM 的內(nèi)置自檢
帶有錯(cuò)誤引腳的錯(cuò)誤信令模塊
電壓和時(shí)鐘監(jiān)視
配備基于 ARM® Cortex®-R4 32 位 RISC CPU
帶有 8 級(jí)管道的高效 1.66DMIPS/MHz
8 區(qū)域內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)
帶有第三方支持的開(kāi)放式架構(gòu)
運(yùn)行條件
80MHz 系統(tǒng)時(shí)鐘
內(nèi)核電源電壓 (VCC)：標(biāo)稱 1.2V
I/O 電源電壓 (VCCIO)：標(biāo)稱 3.3V
ADC 電源電壓 (VCCAD)：標(biāo)稱 3.3V
產(chǎn)品屬性：
核心處理器： ARM® Cortex®-R4
內(nèi)核規(guī)格： 16/32-位
速度： 80MHz
連接能力： CANbus，LINbus，MibSPI，SCI，SPI，UART/USART
外設(shè)： POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)： 45
程序存儲(chǔ)容量： 384KB（384K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 容量： 16K x 8
RAM 大小： 32K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 1.14V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b
振蕩器類型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼 ：100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝： 100-LQFP（14x14）
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