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標(biāo)題: 場(chǎng)效應(yīng)管NTMFS4C810NAT1G TRENCH 6 30V NCH [打印本頁(yè)]

作者: Mindy—mjd 時(shí)間: 2022-11-16 13:16
標(biāo)題: 場(chǎng)效應(yīng)管NTMFS4C810NAT1G TRENCH 6 30V NCH
型號(hào)：NTMFS4C810NAT1G
產(chǎn)品種類：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品單 FET，MOSFET
一般規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）:30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):8.2A（Ta），46A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）:5.88 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）:18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）:987 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼:8-PowerTDFN，5 引線
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