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標(biāo)題: 高頻開關(guān)電源零部件可使用國產(chǎn)F65R420A場效應(yīng)管 [打印本頁]

作者: 漸行漸遠(yuǎn)d    時間: 2019-11-4 16:34
標(biāo)題: 高頻開關(guān)電源零部件可使用國產(chǎn)F65R420A場效應(yīng)管

隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電源系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷的擴(kuò)大,電子設(shè)備的正常運(yùn)行不能沒有電源供應(yīng)穩(wěn)定的電能,這使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新,高頻化逐漸成為一種趨勢。而TK12A60W場效應(yīng)管是高頻開關(guān)電源的一種重要零部件。


隨著國產(chǎn)場效應(yīng)管的性能和質(zhì)量不斷提高,許多廠商逐漸使用國產(chǎn)的飛虹F65R420A場效應(yīng)管替代TK12A60W場效應(yīng)管應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中,從而有效地降低了高頻開關(guān)電源的生產(chǎn)成本,以此提高廠商的競爭力。



作為TK12A60W場效應(yīng)管的國產(chǎn)替代品,飛虹F65R420A場效應(yīng)管具有兩種封裝形式,分別為:FHP65R420A對應(yīng)的封裝形式為TO-220;FHF65R420A對應(yīng)的封裝形式為TO-220F。飛虹F65R420A效應(yīng)管是N溝道 Cool-MOS管,腳位排列為GDS。



飛虹F65R420A mos管內(nèi)阻低,開關(guān)損耗少,Vgs=土30V,Vth=2-4V,Id=11A,BVdss=650V。飛虹F65R420A mos管具有低柵極電荷、低Crss(典型值0.4pF)、開關(guān)速度快等特點(diǎn),100%經(jīng)過雪崩測試,滿足高抗dv/dt能力,屬于RoHS產(chǎn)品,應(yīng)用在高頻開關(guān)電源中,可靠性高,一致性好,獲得廠商回購不斷。


廣州飛虹電子通過不斷的研發(fā)新品,逐漸把MOS管產(chǎn)品的使用范圍拓展到更多電子領(lǐng)域,希望為電子產(chǎn)品的生產(chǎn)廠家提供強(qiáng)有力的元器件保障。例如這款飛虹F65R420A MOS管,不僅質(zhì)優(yōu)價廉,而且還能替代TK12A60W場效應(yīng)管。除提供免費(fèi)試樣外,飛虹可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。400-831-6077







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