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標(biāo)題: 對NVM區(qū)的合理使用 [打印本頁]
作者: zhanglu95 時(shí)間: 2019-7-25 09:42
標(biāo)題: 對NVM區(qū)的合理使用
凌科芯安多款加密芯片均設(shè)置了NVM區(qū)，因其具備掉電不擦除的物理特性和防暴力破解等安全特性，眾多用戶會(huì)利用NVM區(qū)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)。雖然使用方法簡單，但有一點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)容易被忽視。NVM區(qū)有10萬次擦寫壽命或10年存儲(chǔ)壽命，因此用戶使用時(shí)要結(jié)合自己項(xiàng)目的應(yīng)用場景和業(yè)務(wù)邏輯進(jìn)行合理分配，達(dá)到高效使用NVM區(qū)，下面展開說明。
問題一：更新數(shù)據(jù)邏輯不合理
NVM區(qū)的寫操作是按頁實(shí)現(xiàn)的，應(yīng)多以頁為單位進(jìn)行寫操作。舉例：有些用戶將多組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于同一NVM頁內(nèi)，但每更改其中一組數(shù)據(jù)時(shí)，就對該頁執(zhí)行了一次寫操作，這其實(shí)是不提倡的。正確的做法是，盡量將該頁內(nèi)的多組數(shù)據(jù)統(tǒng)一更新，這樣能有效減少扇區(qū)擦寫次數(shù)，延長NVM區(qū)壽命。
問題二：NVM區(qū)地址劃分使用不合理
同樣因?yàn)榘错摬僮鞯脑�，用戶�?yīng)將不同數(shù)據(jù)分組按頁對齊，避免數(shù)據(jù)跨頁存儲(chǔ)的情況發(fā)生。舉例：有些用戶將一組連續(xù)數(shù)據(jù)放在了兩頁地址交界處，當(dāng)對該組數(shù)據(jù)進(jìn)行更新寫操作時(shí)，實(shí)際就對兩頁數(shù)據(jù)同時(shí)實(shí)行了寫操作，即使只寫了2字節(jié)數(shù)據(jù)，也會(huì)造成1024字節(jié)區(qū)域（假設(shè)目標(biāo)加密芯片的NVM扇區(qū)大小是512字節(jié)）的寫壽命減少，這種操作是不提倡的。
問題三：NVM區(qū)未做安全防護(hù)引起數(shù)據(jù)丟失
NVM區(qū)的寫操作是由三步完成的，第一步讀取目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)原數(shù)據(jù)，第二步擦除目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)，第三步將修改后的新數(shù)據(jù)和未做修改的原數(shù)據(jù)寫回目標(biāo)扇區(qū)。因此當(dāng)意外斷電等情況發(fā)生時(shí)，加密芯片恰好執(zhí)行完寫NVM區(qū)的第二步操作，且未完成寫NVM區(qū)的第三步操作，就會(huì)造成目標(biāo)區(qū)域內(nèi)數(shù)據(jù)發(fā)生無規(guī)律錯(cuò)亂。當(dāng)然也有解決辦法，下期分解。
作者: xiaoyuhzou1228 時(shí)間: 2019-7-26 15:32
LKT產(chǎn)品的NVM區(qū)存儲(chǔ)空間是多大？
作者: 小屁孩123 時(shí)間: 2019-7-26 17:12
4k、16K的都有吧，具體看型號
作者: Nic_浩 時(shí)間: 2019-7-26 17:20
4k、16K的都有吧，具體看型號
作者: QL87 時(shí)間: 2019-7-26 18:43
可以介紹一下相關(guān)的型號嗎？
作者: Test_wf 時(shí)間: 2019-7-26 21:26
同問，樓主推薦一款內(nèi)部設(shè)置了NVM的加密芯片唄
作者: kessy1 時(shí)間: 2019-7-27 09:19
型號很多，幾乎每個(gè)產(chǎn)品都有nvm區(qū)，具體你咨詢一下吧
作者: wang0327 時(shí)間: 2019-7-28 09:54
Nvm就是鐵電吧？怎么做到按頁寫？有實(shí)例嗎？
作者: tyl2010 時(shí)間: 2019-7-28 10:47
這個(gè)NVM應(yīng)該跟FLASH類似吧，按頁寫，應(yīng)該是一次寫入256字節(jié)或者512字節(jié)吧
作者: tyl2010 時(shí)間: 2019-7-28 10:48
標(biāo)題: ..
..
作者: Mr.Wang 時(shí)間: 2019-7-28 15:05
期待樓主下期文章的更新
作者: zhanglu95 時(shí)間: 2019-7-29 09:03
內(nèi)部帶NVM的MCU芯片，在程序執(zhí)行中通常會(huì)根據(jù)條件判斷去執(zhí)行讀寫NVM單元的操作，特別是寫NVM單元的操作，要注意。否則很容易造成誤寫NVM單元或者寫入NVM單元的值錯(cuò)誤，造成系統(tǒng)運(yùn)行異常。
作者: miniminimini 時(shí)間: 2019-7-29 09:21
上面說的沒錯(cuò)。但是讀寫NVM的操作一般會(huì)被寫到芯片固件內(nèi)部，以提供api的形式供開發(fā)者使用，所以NVM讀寫的穩(wěn)定性和安全性還是有保證的。
作者: Test_wf 時(shí)間: 2019-7-29 14:49
樓主家的多款加密芯片內(nèi)部設(shè)置了NVM去，其特點(diǎn)是掉電不擦除，利用NVM區(qū)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)，那又如何確保能在芯片內(nèi)部安全運(yùn)行的呢？
作者: miniminimini 時(shí)間: 2019-7-29 14:52
啥在芯片安全運(yùn)行？NVM區(qū)數(shù)據(jù)？只要不對外開放讀寫接口，內(nèi)部運(yùn)行肯定安全。若說是其他的安全，那具體看你的算法設(shè)計(jì)了。
作者: QL87 時(shí)間: 2019-7-29 22:33
本文中介紹nvm區(qū)如何更好的使用其擦除次數(shù)，那么nvm對比其他有什么優(yōu)勢呢？
作者: tyl20100 時(shí)間: 2019-7-30 11:00
具有擴(kuò)展性好、靜態(tài)能耗低以及非易失性等優(yōu)勢
作者: kessy1 時(shí)間: 2019-7-30 11:23
寫操作中途斷電還確實(shí)麻煩，很想知道如何解決，期待樓主下期文章
作者: 小屁孩123 時(shí)間: 2019-7-30 13:31
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過程中，將全部MCU的NVM存儲(chǔ)器擦除重新編程的,怎么操作才不會(huì)讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢？
作者: Nic_浩 時(shí)間: 2019-7-30 13:35
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過程中，將全部MCU的NVM存儲(chǔ)器擦除重新編程的,怎么操作才不會(huì)讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢？
作者: miniminimini 時(shí)間: 2019-7-30 13:59
不一定是非得在下載調(diào)試階段寫，程序運(yùn)行中也可以寫NVM，有些預(yù)置信息可以燒錄的時(shí)候直接預(yù)置，應(yīng)用場景不同選擇合適的操作就好
作者: xiaoyuhzou1228 時(shí)間: 2019-7-30 18:10
我覺得NvM區(qū)不一定那么安全吧 也會(huì)存在一定安全漏洞的
作者: wang0327 時(shí)間: 2019-7-30 20:18
NVM有低能耗、容量易于擴(kuò)展的特點(diǎn)，我覺得將有潛力取代DRAM作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存。
作者: zhanglu95 時(shí)間: 2019-7-31 17:13
沒有這個(gè)潛力，這個(gè)只是類似于芯片的FLASH
作者: tyl20100 時(shí)間: 2019-7-31 17:22
只要做好備份和防掉電機(jī)制，數(shù)據(jù)因突然掉電損壞的可能就會(huì)極低。
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