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標題: 對NVM區(qū)的合理使用 [打印本頁]

作者: zhanglu95 時間: 2019-7-25 09:42
標題: 對NVM區(qū)的合理使用

凌科芯安多款加密芯片均設置了NVM區(qū)，因其具備掉電不擦除的物理特性和防暴力破解等安全特性，眾多用戶會利用NVM區(qū)存儲重要數(shù)據(jù)。雖然使用方法簡單，但有一點技術細節(jié)容易被忽視。NVM區(qū)有10萬次擦寫壽命或10年存儲壽命，因此用戶使用時要結合自己項目的應用場景和業(yè)務邏輯進行合理分配，達到高效使用NVM區(qū)，下面展開說明。

問題一：更新數(shù)據(jù)邏輯不合理

NVM區(qū)的寫操作是按頁實現(xiàn)的，應多以頁為單位進行寫操作。舉例：有些用戶將多組數(shù)據(jù)存儲于同一NVM頁內，但每更改其中一組數(shù)據(jù)時，就對該頁執(zhí)行了一次寫操作，這其實是不提倡的。正確的做法是，盡量將該頁內的多組數(shù)據(jù)統(tǒng)一更新，這樣能有效減少扇區(qū)擦寫次數(shù)，延長NVM區(qū)壽命。

問題二：NVM區(qū)地址劃分使用不合理

同樣因為按頁操作的原因，用戶應將不同數(shù)據(jù)分組按頁對齊，避免數(shù)據(jù)跨頁存儲的情況發(fā)生。舉例：有些用戶將一組連續(xù)數(shù)據(jù)放在了兩頁地址交界處，當對該組數(shù)據(jù)進行更新寫操作時，實際就對兩頁數(shù)據(jù)同時實行了寫操作，即使只寫了2字節(jié)數(shù)據(jù)，也會造成1024字節(jié)區(qū)域（假設目標加密芯片的NVM扇區(qū)大小是512字節(jié)）的寫壽命減少，這種操作是不提倡的。

問題三：NVM區(qū)未做安全防護引起數(shù)據(jù)丟失

NVM區(qū)的寫操作是由三步完成的，第一步讀取目標扇區(qū)內原數(shù)據(jù)，第二步擦除目標扇區(qū)內數(shù)據(jù)，第三步將修改后的新數(shù)據(jù)和未做修改的原數(shù)據(jù)寫回目標扇區(qū)。因此當意外斷電等情況發(fā)生時，加密芯片恰好執(zhí)行完寫NVM區(qū)的第二步操作，且未完成寫NVM區(qū)的第三步操作，就會造成目標區(qū)域內數(shù)據(jù)發(fā)生無規(guī)律錯亂。當然也有解決辦法，下期分解。

作者: xiaoyuhzou1228 時間: 2019-7-26 15:32
LKT產(chǎn)品的NVM區(qū)存儲空間是多大？

作者: 小屁孩123 時間: 2019-7-26 17:12
4k、16K的都有吧，具體看型號

作者: Nic_浩 時間: 2019-7-26 17:20
4k、16K的都有吧，具體看型號

作者: QL87 時間: 2019-7-26 18:43
可以介紹一下相關的型號嗎？

作者: Test_wf 時間: 2019-7-26 21:26
同問，樓主推薦一款內部設置了NVM的加密芯片唄

作者: kessy1 時間: 2019-7-27 09:19
型號很多，幾乎每個產(chǎn)品都有nvm區(qū)，具體你咨詢一下吧

作者: wang0327 時間: 2019-7-28 09:54
Nvm就是鐵電吧？怎么做到按頁寫？有實例嗎？

作者: tyl2010 時間: 2019-7-28 10:47
這個NVM應該跟FLASH類似吧，按頁寫，應該是一次寫入256字節(jié)或者512字節(jié)吧

作者: tyl2010 時間: 2019-7-28 10:48
標題: ..
..

作者: Mr.Wang 時間: 2019-7-28 15:05
期待樓主下期文章的更新

作者: zhanglu95 時間: 2019-7-29 09:03
內部帶NVM的MCU芯片，在程序執(zhí)行中通常會根據(jù)條件判斷去執(zhí)行讀寫NVM單元的操作，特別是寫NVM單元的操作，要注意。否則很容易造成誤寫NVM單元或者寫入NVM單元的值錯誤，造成系統(tǒng)運行異常。

作者: miniminimini 時間: 2019-7-29 09:21
上面說的沒錯。但是讀寫NVM的操作一般會被寫到芯片固件內部，以提供api的形式供開發(fā)者使用，所以NVM讀寫的穩(wěn)定性和安全性還是有保證的。

作者: Test_wf 時間: 2019-7-29 14:49
樓主家的多款加密芯片內部設置了NVM去，其特點是掉電不擦除，利用NVM區(qū)存儲重要數(shù)據(jù)，那又如何確保能在芯片內部安全運行的呢？

作者: miniminimini 時間: 2019-7-29 14:52
啥在芯片安全運行？NVM區(qū)數(shù)據(jù)？只要不對外開放讀寫接口，內部運行肯定安全。若說是其他的安全，那具體看你的算法設計了。

作者: QL87 時間: 2019-7-29 22:33
本文中介紹nvm區(qū)如何更好的使用其擦除次數(shù)，那么nvm對比其他有什么優(yōu)勢呢？

作者: tyl20100 時間: 2019-7-30 11:00
具有擴展性好、靜態(tài)能耗低以及非易失性等優(yōu)勢

作者: kessy1 時間: 2019-7-30 11:23
寫操作中途斷電還確實麻煩，很想知道如何解決，期待樓主下期文章

作者: 小屁孩123 時間: 2019-7-30 13:31
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認都是在下載調試過程中，將全部MCU的NVM存儲器擦除重新編程的,怎么操作才不會讓它在下載調試的時候不用重新編程呢？

作者: Nic_浩 時間: 2019-7-30 13:35
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認都是在下載調試過程中，將全部MCU的NVM存儲器擦除重新編程的,怎么操作才不會讓它在下載調試的時候不用重新編程呢？

作者: miniminimini 時間: 2019-7-30 13:59
不一定是非得在下載調試階段寫，程序運行中也可以寫NVM，有些預置信息可以燒錄的時候直接預置，應用場景不同選擇合適的操作就好

作者: xiaoyuhzou1228 時間: 2019-7-30 18:10
我覺得NvM區(qū)不一定那么安全吧也會存在一定安全漏洞的

作者: wang0327 時間: 2019-7-30 20:18
NVM有低能耗、容量易于擴展的特點，我覺得將有潛力取代DRAM作為計算機內存。

作者: zhanglu95 時間: 2019-7-31 17:13
沒有這個潛力，這個只是類似于芯片的FLASH

作者: tyl20100 時間: 2019-7-31 17:22
只要做好備份和防掉電機制，數(shù)據(jù)因突然掉電損壞的可能就會極低。

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