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標(biāo)題: 微電子所研制成功10GHz 8-bit超高速DDS芯片 [打印本頁]

作者: 諸葛孔明    時間: 2009-8-25 21:56
標(biāo)題: 微電子所研制成功10GHz 8-bit超高速DDS芯片
本帖最后由 諸葛孔明 于 2009-8-25 21:58 編輯

剛看到條中科院的新聞,不知道這個算不算很牛?

近日,中科院微電子所微波器件與集成電路研究室(四室)HBT超高速電路小組在劉新宇研究員和金智研究員的帶領(lǐng)下研制成功兩款基于1um GaAs HBT工藝的8-bit超高速直接數(shù)字頻率綜合器(Direct Digital frequency-Synthesizer, DDS)芯片DDS1和DDS2。

據(jù)測試結(jié)果表明,DDS1可在大于10GHz內(nèi)部時鐘頻率下正常工作,DC-5GHz輸出頻率范圍內(nèi)的無雜散動態(tài)范圍為26dBc;DDS2可在大于5GHz內(nèi)部時鐘頻率下正常工作,DC-2.5GHz輸出頻率范圍內(nèi)的無雜散動態(tài)范圍為45dBc。這兩款超高速DDS芯片的研制成功,不僅大大提升了國內(nèi)DDS電路的最高頻率,同時也顯示了其在當(dāng)前國際上GaAs HBT基DDS芯片時鐘頻率的最高水平。它們的成功實現(xiàn)充分展示了微電子所在超高速數(shù);旌想娐吩O(shè)計方向的強(qiáng)大實力。

DDS1電路中集成了約2000個GaAs HBT晶體管,芯片面積為2.4mm*2.0mm,如圖1所示。



圖1 DDS1芯片照片

在片測試結(jié)果表明,DDS1在外部輸入時鐘頻率為5GHz時正常工作,其內(nèi)部時鐘頻率為10GHz。在8-bit頻率控制字控制下,DDS1可以輸出頻率從直流到5GHz的正弦波形,頻率分辨率為19.5MHz,無雜散動態(tài)范圍為26dBc,接近理論計算值30dBc。DDS1芯片工作電壓為-5.1V,工作電流為762mA,功耗為3.89W。由于采用了功耗冗余設(shè)計,DDS1芯片也可以在低功耗狀態(tài)下正常工作,工作電壓為-4.6V,工作電流為528mA,功耗為2.43W。如圖2所示。



圖2 頻率控制字為128時DDS1芯片的輸出波形(5GHz正弦波)

DDS2電路中集成了約2000個GaAs HBT晶體管,芯片面積為2.4mm*2.0mm,如圖3所示。



圖3 DDS2芯片照片

在片測試結(jié)果表明,DDS2在時鐘頻率為5GHz時正常工作。在8-bit頻率控制字控制下,DDS2可以輸出頻率從直流到2.5GHz的正弦波形,頻率分辨率為19.5MHz,無雜散動態(tài)范圍為45dBc,接近理論計算值48dBc。DDS2芯片工作電壓為-5.1V,工作電流為800mA,功耗為4W。如圖4所示。



圖4 頻率控制字為8時DDS2芯片的輸出波形(156MHz正弦波)


此兩款超高速DDS芯片的研制成功,大大提升了微電子所在超高速數(shù);旌想娐贩矫娴目蒲袑嵙,為今后研制更高性能的電路打下了堅實的理論和設(shè)計基礎(chǔ)。
作者: 老郭    時間: 2009-8-26 09:11
看了沒人懂這個。
作者: sherwin    時間: 2009-8-26 12:24
除了芯片圖沒幾個人能看懂之外,其余的應(yīng)該都是電工的基本常識了。

不過有點懷疑這個結(jié)果,一則GaAs工藝的DDS好像最高只能做到2GHz左右;二則國內(nèi)的民工打磨技術(shù)太高超,很多時候都分辨不清究竟是真品還是打磨過的贗品,呵呵。

還是等待高手大俠們的更專業(yè)的分析吧,嘿嘿!  
作者: xubin_hh    時間: 2010-8-5 00:02
學(xué)習(xí)ing。。。
作者: qaz85513    時間: 2010-8-14 13:17
bdd
作者: 陳小東    時間: 2010-8-17 01:24
這個資料很不錯
作者: 陳小東    時間: 2010-8-17 01:25
這個資料很不錯
作者: jerk2000    時間: 2010-8-26 09:41
是不錯,不過可能沒什么實際用處。
作者: crack    時間: 2012-8-29 09:50
頻率挺高,指標(biāo)不太懂,貌似一般,但人工設(shè)計這東西確實很費時間。估計是探索性的東西,不知道能用在什么地方,DDS的優(yōu)勢是頻率和相位分辨率高,但是8bit的相位噪聲好像比較大。
作者: panminghui    時間: 2013-2-12 08:11
受教育了!。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。!

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