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前言:
在之前的文章,小編有提到繼電器和 MOS 都可以用作 BMS(電池管理系統(tǒng)) 中控制電池充放電的開關(guān)。相比繼電器,MOS 管在開關(guān)應(yīng)用中具有更快的速度、更小的體積、更低的功耗、更高的可靠性、更少的噪聲以及更長的耐用性。MOS 管可以根據(jù)導(dǎo)通方式、結(jié)構(gòu)、材料、電流方向和應(yīng)用進(jìn)行分類,包括增強型和耗盡型、平面型和垂直型、硅和寬禁帶材料、N 溝和 P 溝、以及功率和信號 MOSFET。本文主要圍繞 N-MOS & P-MOS 進(jìn)行介紹,讓讀者更清楚 MOS 管在做開關(guān)時的控制原理及選型要點。
一、N-MOS & P-MOS 的導(dǎo)通截止原理:
G 極(柵極)、 S 極(源極)、 D極(漏極)
NMOS和PMOS晶體管的導(dǎo)通和截止原理主要依賴于它們的柵極電壓:
① N-MOS:柵極 G 電壓高于源極 S 電壓時(如 V(GS)=5V),N-MOS 管導(dǎo)通;而當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時,N-MOS 管截止。
② P-MOS,柵極電壓 G 低于源極 S 電壓時(如 V(GS)=-5V),P-MOS 管導(dǎo)通;而當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時,P-MOS 管截止。
二、N-MOS & P-MOS 做低邊開關(guān) or 高邊開關(guān)?
1、N-MOS 適合用作低邊開關(guān)
① N-MOS 通常用于低邊開關(guān)配置:N-MOS 源極 S 連接到地(或負(fù)電源),漏極 D 連接到負(fù)載的負(fù)端。當(dāng) N-MOS 導(dǎo)通時,它將負(fù)載的負(fù)端與地連接,從而使電流流過負(fù)載。
② N-MOS 也可以用于高邊開關(guān),但實現(xiàn)起來較復(fù)雜,因為需要使柵極 G 電壓高于源極 S 電壓,以便打開 MOS。
通常需要使用額外的電路(例如柵極驅(qū)動電路或自舉電路)來產(chǎn)生足夠的柵極電壓。
2、P-MOS 適合用作高邊開關(guān)
① P-MOS 通常用于高邊開關(guān)配置:P-MOS 源極 S 連接到正電源,漏極 D 連接到負(fù)載的正端。當(dāng) P-MOS 導(dǎo)通時,它將負(fù)載的正端與正電源連接,從而允許電流流過負(fù)載。
② P-MOS 不常用于低邊開關(guān)配置,因為在低邊配置中,它的柵極電壓需要低于源極電壓才能打開 MOSFET,這樣在實際操作中比較困難。
三、MOSFET 選型要點:
MOS 管是一種電壓驅(qū)動型開關(guān)功率器件,一般對 MOS 選型時主要關(guān)注其耐壓值、耐流值、耐溫值、開關(guān)損耗等參數(shù)。下表出了典型 MOS 管 Datasheet 中一些需要關(guān)注的參數(shù)及其意義:
Symbol | Definition | Meaning |
I_D | 最大漏極電流 | 原則是控制器中流過的最大電流不能超過 MOS 的漏電流極限值,否則會擊穿 MOS,且這一參數(shù)會隨溫度變化。 |
V_DSS | 最大漏源極電壓 | 與漏電流一樣,這個倍數(shù)并非完全遵循,實際設(shè)計中有很大彈性。原則是保證系統(tǒng)出現(xiàn)的最大電壓不會使 MOS 管擊穿。 |
V_(GS(th)) | 閾值柵極電壓 | 高于閾值柵極電壓,MOS 管將被開通。閾值柵極電壓(開通電壓)這一參數(shù)與驅(qū)動芯片選型有很強的關(guān)聯(lián)性,選擇驅(qū)動芯片是必須提供能使 MOS 管開通的柵極電壓。這一參數(shù)在參數(shù)表上有最大值和最小值,可以理解為,達(dá)到最小值 MOS 管已經(jīng)開始開通,達(dá)到最大值時 MOS 管完全開通。 |
R_DS | 導(dǎo)通電阻 | MOS 管導(dǎo)通時漏極和源極之間的電阻。 |
Q_g | 柵極電荷 | 主要涉及柵極驅(qū)動電流計算。影響 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷過程的速度。較大的 Q_g 需要更多的源電流以實現(xiàn)快速開關(guān)。 --MOSFET 驅(qū)動電流計算的關(guān)鍵參數(shù),決定了柵極充電和放電所需的電流 |
Q_rr | 反向恢復(fù)電荷 | 主要涉及關(guān)斷過程的二極管或 MOSFET 的恢復(fù)特性。影響開關(guān)損耗和效率,特別是在高頻開關(guān)應(yīng)用中。 |
在 MOS 管的實際應(yīng)用中, 需注意柵極驅(qū)動電壓、散熱、開關(guān)頻率、電流和電壓額定值、靜電放電保護(hù)以及驅(qū)動電流,以確保其可靠性和性能。
以上給讀者總結(jié)了在參考芯片選型手冊時的相關(guān) Feature,具體的應(yīng)用需綜合考慮,歡迎大家在評論區(qū)一起交流在做 MOS 管設(shè)計時都有遇到什么問題。
下期博文再會~